拓扑材料中的异常电子态能够用于构建下一代器件、开发下一代技术，但是长期以来面临着巨大挑战在于无法找到不含有害平行导电的材料。这种有害的平行导电通常由于缺陷、热激活载流子产生。有鉴于此，橡树岭国家实验室Matthew Brahlek报道了能够满足通过这种异常拓扑态的传输性质的材料标准。

本文要点：

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对三维拓扑绝缘体、三维Dirac材料、一维量子反常霍尔绝缘体中需要的材料标准分别进行阐述，对关键性参数（电子能带、节点常数、有效载流子质量等），对决定何种条件（缺陷、温度等）是导致产生不希望的体相态进行说明。因为这些性质是通过原子精度性质调控，简单的化学表征和论证能够有效的改善材料性能，从而能够形成性能改善的材料系统。

参考文献

Matthew Brahlek*, Criteria for Realizing Room‐Temperature Electrical Transport Applications of Topological Materials, Adv. Mater. 2020, 32, 2005698.

DOI: 10.1002/adma.202005698

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202005698