通过无偏压光电化学分解水对InGaN纳米棒光电极有广泛前景，但是该过程的应用受到InGaN纳米棒中体相、界面上严重的载流子复合作用抑制，有鉴于此，华南理工大学李国强、王文樑，天津电源研究所刘兴江等报道了一种Z结构InGaN纳米棒/Cu₂O纳米粒子异质结构光催化剂，首次显著改善界面电荷传输的效果。

 本文要点：

（1）

InGaN纳米棒材料上引入的Cu₂O纳米粒子展示了双重光电催化性能改善作用，通过形成高性能的异质结构、产生一定程度上削弱的光吸收能力。优化组成和比例的InGaN/Cu₂O-1.5C光电极具有均一形貌，展示了光电流强度提高至≈170 μA cm^-2（0 V），比单独的InGaN纳米棒性能提高8.5倍。

（2）

通过相关实验、理论之间结合，发现Cu₂O产生电子聚集、空穴消耗分离作用，从而形成Z型经典结构能带排列，从而在无外加偏压条件中产生较高的光电压驱动分解水反应，同时改善Cu₂O的稳定性。

（3）

本工作展示了一种新颖、简单的策略，改善了InGaN纳米棒等无偏压光电分解水系统的性能，通过构建Z结构异质结改善了电极、电极/电解液界面的电子传输性能。

参考文献

Jing Lin, Zhijie Zhang, Jixing Chai, Ben Cao, Xi Deng, Wenliang Wang,* Xingjiang Liu,* and Guoqiang Li*, Highly Efficient InGaN Nanorods Photoelectrode by Constructing Z-scheme Charge Transfer System for Unbiased Water Splitting, Small 2020, 2006666

DOI: 10.1002/smll.202006666

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.202006666