非易失性电阻开关效应(NVRS)在过渡金属氧化物中普遍存在,俗称忆阻器,在存储技术和神经形态计算中引起广泛关注。近日,德克萨斯大学奥斯汀分校Deji Akinwande等发现各种单层或多层2D材料,包括TMD(MX2,M =过渡金属,例如Mo,W,Re,Sn或Pt; X =硫族元素,例如, S,Se或Te),TMD异质结构(WS2/MoS2)和原子薄的绝缘体(h-BN)均具有NVRS。
本文要点:
1)作者发现,NVRS在2D非导电材料中具有普遍性,并且具有较低的开关电压,较大的开/关比和无成形特性。
2)作者提出了一种解离-扩散-吸附模型,将电导率的提高归因于金属原子/离子吸附的固有空位,并且第一性原理计算和扫描隧道显微镜表征结果均支持导电点机制。
该工作的报道激发了对2D材料中缺陷的理解和应用的进一步研究。
Ruijing Ge, et al. A Library of Atomically Thin 2D Materials Featuring the Conductive‐Point Resistive Switching Phenomenon. Adv. Mater., 2020
DOI: 10.1002/adma.202007792