非易失性电阻开关效应（NVRS）在过渡金属氧化物中普遍存在，俗称忆阻器，在存储技术和神经形态计算中引起广泛关注。近日，德克萨斯大学奥斯汀分校Deji Akinwande等发现各种单层或多层2D材料，包括TMD（MX2，M =过渡金属，例如Mo，W，Re，Sn或Pt； X =硫族元素，例如， S，Se或Te），TMD异质结构（WS2/MoS2）和原子薄的绝缘体（h-BN）均具有NVRS。
本文要点：
1）作者发现，NVRS在2D非导电材料中具有普遍性，并且具有较低的开关电压，较大的开/关比和无成形特性。
2）作者提出了一种解离-扩散-吸附模型，将电导率的提高归因于金属原子/离子吸附的固有空位，并且第一性原理计算和扫描隧道显微镜表征结果均支持导电点机制。
该工作的报道激发了对2D材料中缺陷的理解和应用的进一步研究。
Ruijing Ge, et al. A Library of Atomically Thin 2D Materials Featuring the Conductive‐Point Resistive Switching Phenomenon. Adv. Mater., 2020
DOI: 10.1002/adma.202007792
