高级复合结构、高密度、灵活/耐磨的电子学器件需要发展低温金属工艺,人们发现过冷金属能够进行低温焊接、导电线路印刷,但是过冷处理过程需要基于提高液-固转变受阻过程中的活化能。主要通过两个方法:消除异相成核、受阻均相成核。有鉴于此,爱荷华州立大学Martin M. Thuo等报道了通过钝化作用氧化物层可能通过物理屏障,将核与异相成核剂进行分离,从而提高凝固过程所需的活化能能垒。
参考文献
Andrew Martin, Boyce S. Chang, Alana M. Pauls, Chuanshen Du, Martin M. Thuo*, Stabilization of Undercooled State via Passivating Layers, Angew. Chem. Int. Ed. 2020
DOI: 10.1002/anie.202013489
https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202013489