1T’相单层WSe₂作为能带值较高的量子自旋霍尔效应绝缘体，但是因为其热力学亚稳定性，导致目前合成的WSe₂材料通常为1T’和2H相的混合，并且导致其中的不平凡的拓扑性质的探索和应用受到局限。有鉴于此，南京大学张翼、香港科技大学刘军伟等报道了基于第一性计算，发现通过增强界面相互作用，导致WSe₂材料1T’晶相的稳定性比2H晶相稳定性更高。

本文要点：

（1）

基于以上发现，通过分子束外延生长方法，在SrTiO₃(100)基底上以100 %的选择性生长WSe₂单层结构，随后通过原位扫描隧道显微镜、角分辨光电子能谱测试等技术，发现界面压缩应变导致1T’-WSe₂转变为半金属相。

（2）

通过这种方法，发现界面相互作用能够控制过渡金属二硫化物的晶相稳定性、拓扑能带结构。

参考文献

Wang Chen, Mengli Hu, Junyu Zong, Xuedong Xie, Qinghao Meng, Fan Yu, Li Wang, Wei Ren, Aixi Chen, Gan Liu, Xiaoxiang Xi, Fang-Sen Li, Jian Sun, Junwei Liu,* and Yi Zhang*, Epitaxial Growth of Single-Phase 1T’-WSe2 Monolayer with Assistance of Enhanced Interface Interaction, Adv. Mater. 2020, 2004930

DOI: 10.1002/adma.202004930

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202004930