控制金属卤化物钙钛矿层的形貌在光电器件制备中是关键性问题，有鉴于此，阿卜杜拉国王科技大学Thomas D. Anthopoulos、Murali Gedda等报道了一种控制溶液相Ruddlesden–Popper晶相钙钛矿薄膜材料维结构的方法，具体通过基于苯乙铵溴化铅（(PEA)₂PbBr₄）的钙钛矿中加入有机半导体2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩C₈-BTBT（2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b]benzothiophene），在较大的近乎单晶片状(PEA)₂PbBr₄上修饰≈5 nm厚C₈-BTBT层。在(PEA)₂PbBr₄/C₈-BTBT结构的晶体管中实现了正向/逆向之间产生较高的回滞现象。通过材料、器件、理论计算相结合，发现修饰的C₈-BTBT具有空穴传输通道作用，同时(PEA)₂PbBr₄的量子阱用于存储电子，通道中的载流子能够通过隧穿进行注入、储存、抽取。

本文要点：

（1）

将这种结构用于非易失性存储器，实现了创纪录的存储窗口（＞180 V），清楚/书写电流比达到10⁴，数据保留性能较好，能够进行长期循环（＞10⁴）。

（2）

该结果说明一种可能用于大规模电子器件的记忆存储器件概念，材料制备技术可能用于其他光电子学器件的发展，包括太阳能电池器件、光电探测器、发光二极管等。

参考文献

Murali Gedda,* Emre Yengel, Hendrik Faber, Fabian Paulus, Joshua A. Kreß,

Ming-Chun Tang, Siyuan Zhang, Christina A. Hacker, Prashant Kumar, Dipti R. Naphade, Yana Vaynzof, George Volonakis, Feliciano Giustino, and Thomas D. Anthopoulos*, Ruddlesden–Popper-Phase Hybrid Halide Perovskite/SmallMolecule Organic Blend Memory Transistors, Adv. Mater. 2020, 2003137

DOI: 10.1002/adma.202003137

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202003137