有意掺杂是半导体技术的核心，用于调节电子设备半导体的电学和光学特性，然而，这已证明对卤化物钙钛矿具有巨大挑战美国北卡罗来纳大学黄劲松等人报道了研究表明，存在于卤化物钙钛矿前体中的某些金属离子（例如银，锶，铈离子）作为杂质可以对钙钛矿的表面进行n掺杂，从而成为金属固有的。

主要内容：

这些离子在卤化物钙钛矿晶体中的低溶解度将金属杂质排除在钙钛矿表面上，从而使钙钛矿晶体内部保持固有状态。计算表明，这些金属离子在钙钛矿的导带最小值附近引入许多电子态，并引起n掺杂，这与钝化离子（如钾和铷离子）形成鲜明对比。钙钛矿的金属表面掺杂的发现使新的设备和材料设计能够将钙钛矿的固有内部和重掺杂表面有效结合。

Lin, Y., Shao, Y., Dai, J. et al. Metallic surface doping of metal halide perovskites. Nat. Commun. 12, 7 (2021).

https://doi.org/10.1038/s41467-020-20110-6