激子是电子信号处理与光传输过程中的重要介质，能够提升光电通信过程中的连接速率，但是迄今为止基于激子的能够进行室温工作的逻辑器件仍极为缺乏，有鉴于此，华中科技大学李德慧等报道了基于担载于Au、SiO₂基底上的单层WSe₂室温光电转换原型器件，该器件在变化的门电压过程中产生相反的行为，这种现象是由于在WSe₂中进行不同程度的掺杂，WSe₂/Au、WSe₂/SiO₂界面上展示化学掺杂效应、电荷转移现象，导致荧光强度变化规律不同。这种有意思的现象可能用于光电转化效应，作者通过时间达到4000 s的循环荧光转变测试进行可行性验证。这项研究为发展基于激子的光电转换器件提供经验和支持，可能应用于集成纳米光子学领域。

本文要点：

（1）

通过系统性的研究WSe₂/Au、WSe₂/SiO₂界面上的门控荧光转变效应，发现当WSe₂/Au中的V_g提高，荧光强度持续增加；当WSe₂/SiO₂上的V_g提高，荧光强度变化降低。这种变化是由于掺杂导致WSe₂/Au、WSe₂/SiO₂界面上分别产生电荷转移、掺杂作用。

参考文献

Tong Ye, Boxuan Zhou, Zeyi Liu, Yongzhuo Li, Hongzhi Shen, Cun‐Zheng Ning, Dehui Li*, Room‐Temperature Exciton‐Based Optoelectronic Switch, Small 2021, 2005918. 

DOI: 10.1002/smll.202005918

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202005918