异质结界面可调带排列是器件设计和器件性能优化的重要内容。作为一种有意的方法，合金化可用于低维半导体的能带工程和连续的能带边缘可调谐。因此合金化的可调性与异质结构的能带结构相结合具有重要意义。

近日，中科院半导体研究所魏钟鸣研究员报道了一种合金-合金（MoS_2(1-x)Se_2x/SnS_2(1-y)Se_2y）2D垂直异质结的一步生长。

文章要点

1）研究人员通过电子衍射揭示了异质结构良好排列的异质外延，并且沿界面观察到近原子的清晰无缺陷的边界。同时近乎本征的范德华（vdW）界面使得测量异质结构的本征特性成为可能。

2）通过猝灭的PL谱结合密度泛函理论计算，研究人员证实了MoS_2(1-x)Se_2x/SnS_2(1-y)Se_2y异质结的最佳II型能带排列，以及大的能带偏移和有效的电荷转移。基于完全堆叠的异质结构器件具有比组成材料的高出一到两个数量级的电子迁移率和整流比。

参考文献

Xiaoting Wang, et al, Direct Synthesis and Enhanced Rectification of Alloy-to-Alloy  2D Type-II MoS_2(1-x)Se_2x/SnS_2(1-y)Se_2y Heterostructures, Adv. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adma.202006908

https://doi.org/10.1002/adma.202006908