原子缺陷是最常见的零维拓扑缺陷，广泛存在于二维过渡金属二硫属化物（TMDs）中，它们可以是固有的，在初始样品生长过程中形成的，以及通过后处理产生。尽管大多数TMDs在失去最外层的硫族原子后基本上不受影响，然而包括光学、电学和化学性质在内的一系列性质可以得到显著调节，并潜在地调用许多应用中使用的适用功能。因此，控制硫属元素原子缺陷为设计具有多种物理和化学性质的二维TMDs的提供了另一种途径。

近日，新加坡国立大学Andrew T. S. Wee， Qian Zhang报道了硫属元素原子缺陷在2D TMDs工程中的作用的最新进展，尤其是对器件性能的改进。

文章要点

1）作者概述了缺陷类型和硫属元素原子缺陷的合成或生长后处理的形成。

2）作者揭示了硫族原子缺陷是在调制二维TMD的性质的关键作用。重点总结了硫属原子缺陷对二维TMDs器件平台性能的改善。

3）制作和总结了在电子辐照或生长后处理下的动态演化以及硫族原子缺陷的修复。

4）作者最后总结了硫族原子缺陷工程面临的的潜在挑战以及展望了其未来机遇。

参考文献

Qijie Liang, et al Defect Engineering of Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides: Applications, Challenges, and Opportunities, ACS Nano, 2021

DI10.1021/acsnano.0c09666

https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c09666