二维（2D）金属过渡金属二卤属化物（MTMDCs）由于其相似的原子结构和互补的电子特性，被认为是提高2D半导体过渡金属二卤属化物器件性能的理想电极材料。二碲化钒（VTe2）是MTMDCs家族中一种极具吸引力的材料，具有室温铁磁性、电荷密度波的有序性和拓扑性质。然而，它在通用电极/能源相关领域的实际应用还有待探索。
近日，北京大学张艳锋研究员，武汉大学史建平研究员报道了采用化学气相沉积法（CVD）在云母（KMg3(AlSi3O10)F2）衬底上直接合成了超薄、大畴、厚度可调的1T-VTe2纳米薄片。
文章要点
1）研究发现，利用CVD合成的1T-VTe2具有超高电导率，可以用作高性能电极材料。相应地，与1T-VTe2接触的单层MoS2器件的场效应迁移率（47.5 cm2 V−1 s−1）比使用常规Ti/Au电极的场效应迁移率（8.1 cm2 V−1 s−1）高6倍。此外，CVD法制备的1T-VTe2纳米片对析氢反应（HER）具有良好的电催化活性。
这些结果有望推动CVD生长的二维MTMDCs作为高性能电极材料在所有二维材料相关器件中的直接应用。
参考文献
Jianping Shi, et al, Two-Dimensional Metallic Vanadium Ditelluride as a High-Performance Electrode Material, ACS Nano, 2021
DOI: 10.1021/acsnano.0c10250
https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c10250
