二维II-VI半导体CdSe纳米片（NPLs）具有超窄的光学特征，这是因为其低达原子层厚度的特征导致，通过这种厚度效应，导致能带带边能量变化，从而起到重要和关键性作用，有鉴于此，巴黎高等物理化工学院Sandrine Ithurria等报道了通过将羧酸配体替换为能够部分导致CdCl₂的边缘溶解的卤原子，从而提高了NPL材料的厚度，通过这种溶解-重结晶方法，起始厚度为3层的NPL材料能够增加至9层原子的厚度。随后，作者发现这种处理方法能够拓展到制备较厚的CdS、CdTe。

本文要点：

（1）

当将金属卤化物前体分子和硫化物分子和NPLs反应，能够得到CdSe/CdSe, CdTe/CdTe, CdSe/CdTe核壳结构的同质、异质结构。最后，当调控反应过程，使得外层没有形成完整的一层，能够生成界面上含有台阶结构的NPL材料。

（2）

通过这种卤化物导致的溶解-重结晶过程，能够实现CdSe纳米晶的重结晶，从而导致窄晶面的CdSe变宽，具体的实现厚度提高2层，实现了从3层CdSe出发合成5、7、9层CdSe；从4层CdSe出发合成6、8层CdSe。

参考文献

Nicolas Moghaddam, Corentin Dabard, Marion Dufour, Hong Po, Xiangzhen Xu, Thomas Pons, Emmanuel Lhuillier, and Sandrine Ithurria,* Surface Modification of CdE (E: S, Se, and Te) Nanoplatelets to Reach Thicker Nanoplatelets and Homostructures with Confinement-Induced Intraparticle Type I Energy Level Alignment, J. Am. Chem. Soc. 2021

DOI: 10.1021/jacs.0c10336

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.0c10336