金属卤化物钙钛矿在发光二极管中有较好的前景，但是由于缺陷导致非辐射损失，导致钙钛矿相关LED的功率难以满足要求。有鉴于此，普渡大学窦乐天等报道了一种分子钝化策略，通过改变锚定基团消除缺陷位点。钝化的钙钛矿薄膜光电性能得以改善，晶粒的粒径降低，表面粗糙度也得以降低，在咪唑鎓阳离子钝化后实现了15.6 %外量子效率。通过进一步的原位表征，发现在三维钙钛矿纳米晶粒表面形成的低维钙钛矿晶相是界面缺陷钝化的主要原因，也是改善性能的主要因素。本文的发现为理解有机分子钝化改善钙钛矿LED器件提供经验和方向。

本文要点：

（1）

通过一系列芳基、噻吩基有机钝化分子，设计不同结构结合基团（甲胺基、甲脒基、咪唑基）进行钝化效应比较，通过形貌表征发现分子钝化剂抑制3D钙钛矿纳米晶的生长，因此得到了晶粒更小的纳米晶，同时表面粗糙度降低，从而获得15.6 %的外量子效率。

（2）

通过掠入射X射线散射、单晶X射线分析，发现原位形成的混合钙钛矿纳米晶最有可能起到改善钝化作用，从而提高器件的稳定性。

参考文献

Aihui Liang, Kang Wang, Yao Gao, Blake P. Finkenauer, Chenhui Zhu, Linrui Jin, Libai Huang, Letian Dou,* Highly Efficient Halide Perovskite Light‐Emitting Diodes via Molecular Passivation, Angew. Chem. Int. Ed. 2021

DOI: 10.1002/anie.202100243

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202100243