研究者通过理论预测认为，氮掺杂Kagome晶格型石墨烯（N-KG）可能出现拓扑能带结构、新颖的超导性，但是其在实验上的获得相关研究进展仍极为缺乏。有鉴于此，巴塞尔大学Rémy Pawlak、Ernst Meyer，伯尔尼大学Shi-Xia Liu等报道了在Ag(111)晶格上合成了二维石墨烯纳米片的条带，其中具有长程蜂窝状Kagome晶格。通过低温扫描隧道显微镜STM、含有CO端针尖的原子力显微镜AFM进行表征，通过DFT计算进行验证，对N-KG的原子级结构、电子结构进行解释。验证了通过氮掺杂形成半导体特征，在Fermi能级附近发现产生Kagome平带，从而为设计石墨烯基拓扑材料提供经验和支持。

本文要点：

（1）

通过Ullmann偶联反应在Ag(111)晶面上制备N-掺杂Kagome石墨烯材料，其中通过TBQP（3,6,14,17-tetrabromodibenzo[a,c]-dibenzo[5,6:7,8]quinoxalino-[2,3-i]-phenazine）在Ag(111)面上进行多级Ullmann聚合反应，形成金属有机复合结构，随后通过C-C交叉偶联反应形成六方P6mm对称性多孔结构N-KG。

参考文献

Rémy Pawlak,* Xunshan Liu, Silviya Ninova, Philipp D'astolfo, Carl Drechsel, Jung-Ching Liu, Robert Häner, Silvio Decurtins, Ulrich Aschauer, Shi-Xia Liu,* Ernst Meyer,* On‐Surface Synthesis of Nitrogen‐Doped Kagome Graphene, Angew. Chem. Int. Ed. 2021,

DOI: 10.1002/anie.202016469

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202016469