东京大学Kazuya Yamaguchi等报道了修饰在CeO₂基底上的高度分散Ni(OH)_x催化剂展示了优异的对苄基C(sp³)-H键进行选择性硼化，该反应兼容二级衍生物反应物分子，以频哪醇硼烷作为硼化试剂。通过反应机理研究结果发现，在CeO₂界面上原位生成超小Ni物种是反应中的真实催化剂。

本文要点：

（1）

通过相关表征，提出反应机理：通过对苄基C-H键活化在Ni上进行氧化加成生成Ni-苄基中间体和Ni-H，随后Ni物种和HBPin反应生成Ni-H和Ni-BPin。随后通过还原消除反应过程生成目标苄基修饰硼基的产物和H₂，Ni催化剂得以重生。

（2）

该反应中发现，反应中对苄基位点C(sp³)-H的选择性高于芳烃C(sp²)-H。这种选择性可能由于界面上高度分散的超小Ni纳米粒子作为催化活性位点导致，此外，这种反应选择性的产生原因需要进一步深入研究。

参考文献

Daichi Yoshii, Takafumi Yatabe, Tomohiro Yabe, and Kazuya Yamaguchi,* C(sp³)-H Selective Benzylic Borylation by In Situ Reduced Ultrasmall Ni Species on CeO₂, ACS Catal. 2021, 11, 2150−2155

DOI: 10.1021/acscatal.1c00185

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acscatal.1c00185