半导体量子点QDs在900~1700 nm（NIR-II）区间的荧光导致受到抑制的光子吸收和散射，这促进了生物医疗成像、NIR器件等应用。但是，发展较高荧光量子产率、生物兼容性的NIR-II量子点材料仍具有非常高的挑战。有鉴于此，福建物质结构研究所陈学元、苏州纳米技术与纳米仿生研究所王强斌等报道了设计合成AgAuSe合金量子点材料，展示了820~1170 nm的荧光，在978 nm附近的荧光量子产率达到65.3 %，在相关报道中的结果是最好的。

本文要点：

（1）

该材料中没有毒性元素，寿命达到4.58 μs。作者认为这种较高的PLQY和长寿命能归结于成功阻止了非辐射型激子跃迁，这可能是由于Au和具有Ag离子的高迁移率形成合金所致。此类较高PLQY量子点材料由于不存在毒性金属，可能在生物成像、LED、光伏器件等领域中得到进一步发展。

参考文献

Hongchao Yang, Renfu Li, Yejun Zhang, Mengxuan Yu, Zan Wang, Xi Liu, Wenwu You, Datao Tu, Ziqiang Sun, Rong Zhang, Xueyuan Chen*, and Qiangbin Wang*, Colloidal Alloyed Quantum Dots with Enhanced Photoluminescence Quantum Yield in the NIR-II Window, J. Am. Chem. Soc. 2021

DOI: 10.1021/jacs.0c13071

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.0c13071