电极上通过吸附/脱附电学性质是产生电传感技术所需要的信号中的重要过程，此外对于电解质-绝缘体-半导体（EIS）结构，目前一些相关能源转换技术的研究通过对固-液界面中的离子吸附现象研究，发现电化学信号通过离子电压（ionvoltaic）现象产生电化学信号。但是，对于离子吸附现象在EIS结构中的具体的直接证据获得具有较高难度，因为半导体中基于库伦相互作用的载流子聚集直接证据不充分。有鉴于此，首尔国立大学Youn Sang Kim等报道了一个复杂精细的霍尔测试系统，从而对基于固液界面上的离子吸附和半导体中的累积电子密度变化情况进行定量分析。

本文要点：

（1）

设计了以离子电压机理作用的浸水系统实现了改善的EIS结构器件，随后监测液体电解质系统中的离子动力学过程，随后发现离子浓度和离子选择性之间的关系产生不同的峰值电压。

（2）

这种独特方法能够加深对半导体相关的载流子行为、溶液-块体相中的离子行为相关的离子电压现象的理解，从而为界面吸附、拓展离子传感平台提供有效的信息和分析。

参考文献

Lee, W. H., Yoon, S. G., Jin, H., Yoo, J., Han, J., Cho, Y. H., Kim, Y. S., Electron Density‐Change in Semiconductor by Ion‐Adsorption at Solid–Liquid Interface. Adv. Mater. 2021, 2007581.

DOI: 10.1002/adma.202007581

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202007581