磁性赛道存储器装置（Magnetic racetrack device）是有希望用于下一代存储器的方向，此类自旋电子移位寄存器通过垂直磁化铁磁体/重金属薄膜系统形成，其中数据编码在具有手性Néel结构的畴壁磁位上，通过Dzyaloshinskii–Moriya界面相互作用实现稳定化，通过穿过重金属层的电流中的自旋电流对bits进行调控。提高电流引发的畴壁运动的效率是实现商业化可行的磁性跑道所必须的，有鉴于此，马克斯•普朗克微结构物理研究所Stuart S. P. Parkin等报道了通过在磁性较弱的Co和Pt之间引入原子层厚度的4d和5d金属层，进而实现了显著提高性能，降低了电流密度最低阈值。

本文要点：

（1）

这种显著改善的性能能够通过单层原子层厚度的Pd、Rh，实现了将畴壁速率提高3.5倍。特别是，当贵金属层上没有掺杂金属层，效率将降低1个数量级。本文结果展示了界面工程在构建高效赛道存储设备中的关键性作用。

参考文献

Guan, Y., Zhou, X., Ma, T., Bläsing, R., Deniz, H., Yang, S.‐H., Parkin, S. S. P., Increased Efficiency of Current‐Induced Motion of Chiral Domain Walls by Interface Engineering. Adv. Mater. 2021, 2007991.

DOI: 10.1002/adma.202007991

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202007991