长期以来半导体被看作固体晶体管的必要组成，虽然基于2D van der Waals异质结的纳米尺度器件得以发展，但是其中的2D van der Waals异质结，基于穿过短沟道的隧穿、弹道电流开关机制难以进行控制，同时半导体沟道材料仍是不可或缺的部分。有鉴于此，韩国建国大学Hyun-Jong Chung等报道了一种具有工业应用级别的电流转换器件，该器件免于使用半导体材料。

本文要点：

（1）

该器件能够将穿越石墨烯/BN界面的场发射势垒高度调控实现I_ON/I_OFF达到10⁶，该开关比通过转移曲线（transfer curve）实现，同时本征能够增强4倍，在15~400 K区间展示了前所未有的稳定电流。

（2）

这种无需半导体材料的转换器件能够解决长期以来悬而未决的温度导致器件性能变化问题，同时扩展了2D van der Waals器件在极端环境中的应用。

参考文献

Lee, JH., Shin, D.H., Yang, H. et al. Semiconductor-less vertical transistor with I_ON/I_OFF of 10⁶. Nat Commun 12, 1000 (2021).

DOI: 10.1038/s41467-021-21138-y

https://www.nature.com/articles/s41467-021-21138-y