通过化学元素掺杂、电场操控导致半导体界面上发生能带弯折能够构建体相中无法形成的金属界面态，表现出高电子移动能力、磁性、超导等性质。同时，通过光学方法在超快时间尺度中产生此类金属表面态将有助于高速电子学的发展。有鉴于此，马克斯·普朗克研究所下属弗里茨·哈伯研究所L. Gierster等报道了ZnO (10-10)界面上能够通过光激发，在超快时间尺度中形成金属态。和已知在块体无机半导体材料中的超快光引发半导体-金属态转变过程相比，在ZnO界面上的金属化产生所需的光的通量比块体ZnO所需量降低了3~4倍。

本文要点：

（1）

通过时间分辨、角度分辨的光电子能谱，验证了这种相转变来自于光激发界面能带弯折作用降低，这是因为由于光耗尽导致供体性界面深界面缺陷在光激发作用变化中发生变化。这种类似半导体中化学修饰的光化学调控方法展示了一种通过超快光实现限域在界面上的金属态。

参考文献

Gierster, L., Vempati, S. & Stähler, J. Ultrafast generation and decay of a surface metal. Nat Commun 12, 978 (2021). 

DOI: 10.1038/s41467-021-21203-6

https://www.nature.com/articles/s41467-021-21203-6