原位生长高密度均匀的单壁碳纳米管（SWNT）阵列对于集成电路而言非常重要，但是由于基底上的催化纳米粒子在催化反应过程中面临着严重的迁移、团聚，显著抑制了SWNT阵列。有鉴于此，北京大学张锦等报道了一种Mg辅助催化位点锚定策略，将起到催化作用的纳米颗粒烧结在基底上。在Mg修饰的蓝宝石基底表面，通过高温固相反应提供较强的金属-基底相互作用（SMSI），因此直接使用Fe作为催化剂生长覆盖10×10 mm²面积基底的高密度SWNT阵列。

本文要点：

（1）

修饰蓝宝石基底。通过旋涂法将Mg和Fe前驱体分子旋涂在蓝宝石基底上，随后煅烧将其稳定。通过CVD方法生长SWNT阵列。

（2）

在生长SWNT阵列的过程中，局部的密度高达~110 根 μm^-1。该方法同样适用于以Mo₂C、WC作为催化剂生长SWNT的过程。

参考文献

Ying Xie, Liu Qian, Dewu Lin, Yue Yu, Shanshan Wang, Jin Zhang*, Growth of Homogeneous High‐density Horizontal SWNT Arrays on Sapphire via a Magnesium‐assisted Catalyst Anchoring Strategy, Angew. Chem. Int. Ed. 2021

DOI: 10.1002/anie.202101333

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202101333