在后摩尔时代，具有丰富物理特性的二维（2D）材料引起了科学界和工业界的广泛关注。在2D材料中，2D同质结由于其独特的几何结构和性质，如均匀的元件、完美的晶格匹配和有效的界面电荷转移等，在设计新型电子和光电子器件方面具有极大的应用前景。

近日，华中科技大学翟天佑教授综述了p-n同质结、异相同质结和层工程同质结等2D同质结的结构设计和器件应用的研究进展。

文章要点

1）作者概述了气相沉积、锂插层、激光辐照、化学掺杂、静电掺杂和光掺杂等制备2D同质结的策略。详细总结了2D同质结在电子学（例如场效应晶体管、整流器和反相器）和光电子学（例如发光二极管、光伏和光电探测器）等应用的研究进展。

2）作者最后对2D同质结目前研究仍面临的挑战和未来发展提出了个人见解，以促进2D同质结的快速发展。

参考文献

Fakun Wang, et al, 2D Homojunctions for Electronics and Optoelectronics, Adv. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adma.202005303

https://doi.org/10.1002/adma.202005303