由于光伏领域中目前铅基卤化物的快速发展，对于搜索物理学、化学、光电性能上可替代的材料需求变得越来越重要。有鉴于此，利物浦大学Matthew J. Rosseinsky等报道了Cu₂AgBiI₆材料，作为一种稳定的不含铅无机三元结构宽能带半导体，能够很好的在级联形式的光伏器件中兼容。

本文要点：

（1）

光电测试结果显示，该材料在吸收带边附近的吸收系数达到1.0×10⁵ cm^-1，比CH₃NH₃PbI₃的吸收系数高数倍。通过溶液相处理方法合成了Cu₂AgBiI₆薄膜，直接能带为2.06 eV，激子结合能达到25 meV，载流子迁移率1.7 cm² V^-1 s^-1，荧光寿命达到33 ns，吸收和发射之间的Stokes位移较小。

（2）

本文首次实现在CuI，AgI，BiI₃之间形成了三元化合物，该三元化合物中同时具有四面体、八面体结构位点，为调控化学、结构组成和改善材料性能提供了更多机会。由于双重钙钛矿Cs₂AgBiI₆薄膜材料迄今为止仍未实现，Cu₂AgBiI₆作为一个具有重要意义的例子，其中密堆积的碘亚晶格中Ag⁺/Bi³⁺八面体结构未发展三元钙钛矿晶相提供机会。

参考文献

Matthew J. Rosseinsky* et al. Highly Absorbing Lead-Free Semiconductor Cu₂AgBiI₆ for Photovoltaic Applications from the Quaternary CuI–AgI–BiI₃ Phase Space, J. Am. Chem. Soc. 2021,

DOI: 10.1021/jacs.1c00495

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c00495