低担载量是限制量子点敏化太阳能电池的瓶颈，虽然在以往的相关报道中人们通过二次沉积量子点能够提高量子点的担载量，但是该过程中不可避免引入新复合中心位点，难以改善光电压、填充因子等参数。有鉴于此，华南农业大学钟新华、潘振晓等报道了一种新型二次引入量子点的方法，能够通过在量子点敏化光阳极附近形成金属氢氧化物层提高光吸收位点。在该方法中，以MgCl₂溶液对Zn-Cu-In-S-Se量子点敏化的TiO₂薄膜处理，随后进行二次敏化，这种处理实现了量子点担载量提高38 %。

本文要点：

（1）

通过这种提高量子点担载量的方法，器件的吸光能力得以改善，缓解了电荷复合，实现了显著改善光电流、填充因子。

（2）

修饰后的电池器件性能提高至15.31 %，电流密度达到26.52 mA cm^-2，开路电压0.802 V，填充因子达到0.72。未经过这种MgCl₂处理的对比器件电池效率为13.54 %，电流密度24.43 mA cm^-2，开路电压0.789 V，填充因子70.8 %。此外，在液结量子点电池器件，实现了15.20 %的电池效率记录。

参考文献

Han Song, Yu Lin, Zhengyan Zhang, Huashang Rao, Wenran Wang, Yueping Fang, Zhenxiao Pan*, and Xinhua Zhong*, Improving the Efficiency of Quantum Dot Sensitized Solar Cells beyond 15% via Secondary Deposition, J. Am. Chem. Soc. 2021

DOI: 10.1021/jacs.1c01214

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c01214