在惰性截面实现均匀大面积2D MOF薄膜同时控制其电子结构是实现MOF迈向电子器件的重要一步，有鉴于此，芬兰阿尔托大学Linghao Yan、Peter Liljeroth等报道了一种2D单层二氰蒽基铜MOF材料，其表现出长程有序，在Ir(111)金属基底的外延石墨烯上生长MOF。

本文要点：

（1）

2D MOF单层薄膜在靠近Fermi能级附近产生Kagome能带结构，而且电子结构和基底之间形成相互作用。

（2）

作者通过低温扫描隧道显微镜、其他光谱学表征，同时使用DFT计算方法对其结构、电子性能进行研究，通过针间引发局部电场作用对2D MOF材料中的多重分子电荷态进行研究。作者认为这种方法有望应用于研究2D MOF材料的其他类似性质奇特的电子态。

参考文献

Linghao Yan*, Orlando J. Silveira, Benjamin Alldritt, Ondřej Krejčí, Adam S. Foster, Peter Liljeroth*, Synthesis and Local Probe Gating of a Monolayer Metal‐Organic Framework, Adv. Funct. Mater. 2021, 2100519.

DOI: 10.1002/adfm.202100519

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202100519