Mott绝缘体、电荷密度波CDW（charge density waves）的理解对于基础物理学、发展器件而言非常重要，但是目前人们仍未对Mott绝缘体、电荷密度波之间的关系实现很好的理解，尤其是对于2D材料。有鉴于此，北京理工大学刘立巍等报道了通过扫描隧道显微镜/光谱对单层1T-NbSe₂材料进行表征，对Mott的上Hubbard能带（UHB）能量进行研究。

本文要点：

（1）

器件基本结构。在担载于SiC基底表面的双层石墨烯上，通过MBE方法生长高品质大面积1T-NbSe₂（单个面积达到140 nm），用于实现高分辨率观测Mott UBH和CDW图案的关系。

（2）

发现电荷密度波中心处的d_z²轨道与自旋极化UHB能带的分布在空间上来看互相远离。此外，UHB在除了经典的CDW图案之外，还表现√3×√3 R30°周期性排列图案。在1T-NbSe₂的Mott能带的可见深能带区发现类似CDW结构，基于以上发现作者对单层2D体系中的相关整体性电子结构产生了一些新发现。

参考文献

Liu, L., Yang, H., Huang, Y. et al. Direct identification of Mott Hubbard band pattern beyond charge density wave superlattice in monolayer 1T-NbSe₂.  Nat Commun 12, 1978 (2021).

DOI: 10.1038/s41467-021-22233-w

https://www.nature.com/articles/s41467-021-22233-w