具有磁电效应的材料，由于其在新型器件的制备中具有潜在的价值而引起了广泛的关注。但是大多数电荷转移型分子基材料的磁电效应发生在远低于室温的低温区，不能满足实际应用的需求。近日，厦门大学Lasheng Long，Haixia Zhao, Xinwei Dong等报道了一种二维电子铁电体薄膜[(n‑C₃H₇)₄N][Fe^IIIFe^II(dto)₃] (dto = C₂O₂S₂)，通过压电力显微镜的表征，在面内磁场下观察铁电畴的变化，实现了室温磁电耦合。

本文要点：

1）作者通过介电、固体紫外漫反射等手段，证明了电荷转移的起源于面内的；通过铁电回线的测试，证明化合物是个铁电体；又通过非磁性离子Zn²⁺的替换，进一步证实了铁电性是由于面内的电荷转移引起的。

2）作者通过压电力显微镜的测试，在800 Oe磁场下观测到铁电畴的变化，进一步证实了化合物具有室温磁电耦合效应。

该工作不仅为设计新的分子基电子铁电材料提供新思路，而且为新的电子器件的应用铺平了道路。

Xiaolin Liu, et al. Room-Temperature Magnetoelectric Coupling in Electronic Ferroelectric Film based on [(n‑C₃H₇)₄N][Fe^IIIFe^II(dto)₃] (dto = C₂O₂S₂), J. Am. Chem. Soc. 2021

DOI: 10.1021/jacs.1c00601

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jacs.1c00601