具有半金属性质的亚稳态1T'-相过渡金属二硫属化合物（1T'-TMDs）由于其独特的畸变结构和有趣的相依赖理化性质而引起了人们广泛的研究兴趣。但是，合成高质量的亚稳1T'-TMDs晶体，尤其是VIB族TMDs的合成，仍然是一个挑战。近日，香港城市大学Hua Zhang，新加坡南洋理工大学Kedar Hippalgaonkar等报道了一种大规模合成亚稳1T'相VIB族 TMDs的通用合成方法，包括WS₂，WSe₂，MoS₂，MoSe₂，WS_2xSe_2（1-x）和MoS_2xSe_2（1-x）。

本文要点：

1）作者通过一系列表征方法对合成的高纯1T′-TMD晶体进行了表征，包括像差校正高角度环形暗场（HAADF）扫描透射电子显微镜（STEM），选择性区域电子衍射（SAED），X射线光电子能谱（ XPS），俄歇电子能谱（AES），拉曼光谱，X射线衍射（XRD），差示扫描量热法（DSC），热重分析（TGA），近边结构X射线吸收（XANES），扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）和单晶XRD（SCXRD）。

2）所制备的1T'-WS₂具有厚度依赖的固有超导性，90.1 nm厚度和单层的临界转变温度分别为8.6 K和5.7 K，这归因于1T'-WS₂高的固有载流子浓度和半金属的性质。

该工作报道的策略为大规模制备高纯度的亚稳TMDs纳米材料铺平了道路，为探索其相依赖的理化特性和应用提供了平台。

Zhuangchai Lai, et al. Metastable 1T′-phase group VIB transition metal dichalcogenide crystals. Nat. Mater., 2021

DOI: 10.1038/s41563-021-00971-y

https://www.nature.com/articles/s41563-021-00971-y