ACS Energy Letter:Sb2Se3异质结界面载流子传输、缺陷俘获动力学
纳米技术 纳米 2021-04-18

基于Sb2Se3的太阳能电池效率在过去7年间效率由<2 %提高至>10 %,但是目前对异相界面附近的载流子转移、缺陷态位置等问题未得到很好的理解,有鉴于此,华中科技大学陈超,上海光学精密机械研究所冷雨欣、杜鹃等报道了Sb2Se3异质结中的载流子传输竞争性过程的动力学进行系统性研究。

本文要点:

(1)

CdS/Sb2Se3异质结附近能带边界处电子转移、俘获之间的动力学竞争关系,导致电荷分离效率降低、开路电压衰减。SnO2/Sb2Se3异质结界面上的热电子抽离速率比缺陷俘获的速率高一个数量级,从而有效的抑制被缺陷俘获,从而改善了开路电压

(2)

本文结果展示了缓冲界面结构在超快速电荷抽取中起到的作用,这种作用以往被忽略。通过这种作用,为提高Sb2Se3太阳能电池性能提供了一种新方法。

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参考文献

Zeyu Zhang, Manchen Hu, Tingyuan Jia, Juan Du*, Chao Chen*, Chunwei Wang, Zhengzheng Liu, Tongchao Shi, Jiang Tang, and Yuxin Leng*, Suppressing the Trapping Process by Interfacial Charge Extraction in Antimony Selenide Heterojunctions, ACS Energy Lett. 2021, 6, 1740–1748

DOI: 10.1021/acsenergylett.0c02660

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.0c02660


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