GaTe由于其直接带隙和独特的相结构，最近引起了人们的极大关注，并成为光电子学领域中的一个的候选材料。然而，实现具有可调相结构的大尺寸单层和少层GaTe的可控生长仍然是一个巨大的挑战。

近日，南洋理工大学刘政教授，哈工大（深圳）孙华锐副教授，Gui-Gen Wang中科院苏州纳米所Simin Feng报道了采用液态金属辅助化学气相沉积的方法，实现了高质量、化学均匀性、重复性好的大尺寸GaTe的可控生长。

文章要点

1）利用液态Ga，由于反应温度降低，可以快速生长具有高相选择性的2D GaTe片。此外，该方法还用于合成了多种Ga基2D材料及其合金，具有良好的通用性。拉曼光谱研究结果表明，生长的GaTe具有相对较弱的范德华相互作用，其中单斜GaTe表现出高度各向异性的光学性质。

2）在此基础上，研究人员利用GaTe作为p型半导体，以及2D MoSe₂作为典型的n型半导体，制作了p-n结光探测器。得益于高质量生长的GaTe的强光吸收，GaTe/MoSe₂异质结光探测器在光照下表现出671.52 A W⁻¹的高光响应率和1.48×10¹⁰ Jones的高光电探测率。这些结果表明，2D GaTe是一种极有前途的电子和光电器件候选材料。

参考文献

Mingqiang Liu, et al, Controlled Growth of Large-Sized and Phase-Selectivity 2D GaTe Crystals, Small 2021

DOI: 10.1002/smll.202007909

https://doi.org/10.1002/smll.202007909