GaN基发光二极管（LED）作为新一代光源，在照明和显示领域有着广泛的应用。LED的散热是导致光输出减少、寿命缩短和灾难性故障风险的根本问题。

近日，中科院北京纳米能源与系统研究所Zhong Lin Wang，Weiguo Hu，广西大学Wenhong Sun报道了制作了一种2×2 m²有源区的大功率InGaN/GaN多量子阱（MQWs）蓝光LED，并首次展示了利用压电光效应实现的自热效应调节。

文章要点

1）研究人员利用红外热像仪对不同应变下的注入电流和结温的面内分布进行了可视化研究。研究发现，外加应变能有效提高辐射复合效率，减小自热效应。与传统的无应变LED器件相比，在6 V和7 V偏置电压下，0.1%外加应变下LED的工作温度分别降低了50.00%和47.62%。

2）这项工作清晰地揭示了压电光效应调节LEDs中电流注入、载流子复合和自加热效应的机理，为解决大功率发光二极管（HPLEDs）照明和显示器的散热和热管理问题提供了一种新的解决方案。

参考文献

Qi Guo, et al, Enhanced Heat Dissipation in Gallium Nitride-Based Light-Emitting Diodes by Piezo-phototronic Effect, Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c00999

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c00999