外延生长为光电子器件提供了最高质量的晶体半导体薄膜。香港理工大学李刚和香港中文大学的路新慧等人报道了通过两步法对高取向α-FAPbI₃钙钛矿薄膜进行普遍的固溶自下而上的准外延生长。并通过甲基氯化铵和大有机阳离子丁基溴化铵的协同作用来精确控制α-FAPbI₃薄膜的晶体取向。

本文要点：

1）GIWAXS可以在薄膜的底部可视化丁基溴化铵相关的中间相的形成，并作为后续退火过程中自下而上的准外延生长的指导模板。模板引导外延生长的BAFAMA钙钛矿薄膜具有更高的结晶度，更好的晶体学取向和更少的缺陷。此外，BAFAMA钙钛矿太阳能电池获得了超过23%的效率，并表现出良好的稳定性，在2600 h的环境存储后，仍保持其初始功率转换效率的95％；并提高了4倍的工作条件寿命。

Zhang, H., Qin, M., Chen, Z., Yu, W., Ren, Z., Liu, K., Huang, J., Zhang, Y., Liang, Q., Chandran, H. T., Fong, P. W. K., Zheng, Z., Lu, X., Li, G., Bottom‐Up Quasi‐Epitaxial Growth of Hybrid Perovskite from Solution Process—Achieving High‐Efficiency Solar Cells via Template‐Guided Crystallization. Adv. Mater. 2021, 2100009.

https://doi.org/10.1002/adma.202100009