一维（1D）材料因其独特的量子约束效应和边缘相关性质而引起了人们广泛的研究兴趣。这其中原子薄1D纳米带由于其具有厚度和宽度物理限制而极具研究价值。

近日，清华深圳国际研究生院成会明院士，刘碧录报道了发展了一种无催化剂的化学气相沉积（CVD）方法，在云母（KMg₃AlSi₃O₁₀F₂）衬底上成功合成了尺寸可调的Bi₂O₂Se纳米结构。

文章要点

1）通过控制炉内Bi₂O₃和Bi₂Se₃的前驱体比例，可以精确控制二维Bi₂O₂Se四边形的生长，从而生长出厚度小到单层的Bi₂O₂Se纳米带。

2）由这种化学气相沉积生长的Bi₂O₂Se纳米带制成的场效应晶体管（FET）具有高电流开关比（>107）和高电子迁移率（262cm² V⁻¹ s⁻¹）。此外，利用Bi₂O₂Se纳米带制成的光电探测器的光响应率高达9.2×10⁶ A W⁻¹。

具有原子薄厚度的Bi₂O₂Se纳米带的成功生长以及其良好的器件性能，使其在电子和光电应用方面具有巨大的潜力。

参考文献

Usman Khan, et al, Catalyst-Free Growth of Atomically Thin Bi₂O₂Se Nanoribbons for High-Performance Electronics  and Optoelectronics, Adv. Funct. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adfm.202101170

https://doi.org/10.1002/adfm.202101170