铁电聚合物的柔性、透明和低重量特性使其在可穿戴电子和光学应用中极具应用前景。为了实现偏振使能器件功能的全部潜力，需要大规模制造具有良好控制的极性方向的聚合物薄膜，这仍然是一个挑战。目前广泛使用的Langmuir–Blodgett、旋涂和静电纺丝等方法只能产生多晶型或多晶薄膜，其中净极化受到损害。

近日，美国内布拉斯加大学林肯分校Xia Hong报道了一种易扩展策略，通过与1T′-ReS₂的界面外延，成功获得了由紧密堆积的晶体纳米线组成的聚(偏二氟乙烯-三氟乙烯) P(VDF-TrFE)薄膜。

文章要点

1）高分辨率透射电子显微镜表征显示，在控制热处理后，均匀的P(VDF-TrFE)膜重组为约10和35 nm宽（010）取向的纳米线，这些纳米线与下面的ReS₂晶体排列。

2）压电响应力显微镜研究证实了P(VDF-TrFE)纳米线膜的平面外极轴，并揭示了低至0.1 V的矫顽电压。此外，反转极化可以在双层ReS₂中诱导超过10⁸的电导转换比，比未处理的聚合物栅极实现的电导转换比高6个数量级以上。

这项研究指出了一条具有高成本效益的路线，大规模加工高性能铁电聚合物薄膜，用于灵活的高能效纳米电子学。

参考文献

Dawei Li, et al, Assembly of Close-Packed Ferroelectric Polymer Nanowires via Interface-Epitaxy with ReS₂, Adv. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adma.202100214

https://doi.org/10.1002/adma.202100214