FeTe_1-xSe_x是一种很有前途的实现Majorana零模的层状材料，近年来引起了人们极大的关注。脉冲激光沉积和分子束外延是制备FeTe_1−xSe_x薄膜的常规方法。然而，这两种方法都需要高真空条件和抛光的晶体衬底，这阻碍了人们对这种材料的拓扑超导电性和相关纳米器件的探索。

近日，南洋理工大学刘政教授，Xiao Renshaw Wang，Lixing Kang报道了首次利用简易的常压化学气相沉积方法（CVD）在SiO2/Si衬底上成功地制备了超导四方FeTe_1-xS_x纳米薄片。

文章要点

1）所制备的FeTe_1-xS_x纳米片呈长方形，边长可达40 μm，通过精确控制生长条件，FeTe_1-xS_x纳米片的厚度可以从几nm到几十nm调节，此外，FeTe_1-xS_x纳米片的成分可以从x=0到0.70范围内广泛调节。

2）研究人员通过综合表征和低温电传输测试，验证了所合成的样品的质量。令人印象深刻的是，所制备的FeTe0_.8Se_0.2纳米薄片的起始超导转变温度为12.4 K，为进一步研究FeTe_1−xSe_x系的非常规超导电性提供了良好的平台。

参考文献

Dianyi Hu, et al, Chemical Vapor Deposition of Superconducting FeTe_1−xSe_x Nanosheets, Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01577

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c01577