提高卤化物钙钛矿半导体材料的光电性能需要抑制非辐射载流子陷阱俘获效应,研究发现间隙碘原子是一种深能级缺陷位点和载流子复合位点,有鉴于此,诺森比亚大学Lucy D. Whalley、伦敦帝国理工学院Aron Walsh等报道分析其中的载流子陷阱的量子动力学,研究了间隙碘位点上的快速、不可逆电子捕获过程。该过程中的Huang-Rhys因子达到300,说明软半导体材料中的强电子-声子复合现象。
参考文献
Lucy D. Whalley*, Puck van Gerwen, Jarvist M. Frost, Sunghyun Kim, Samantha N. Hood, and Aron Walsh*, Giant Huang–Rhys Factor for Electron Capture by the Iodine Intersitial in Perovskite Solar Cells, J. Am. Chem. Soc. 2021
DOI: 10.1021/jacs.1c03064
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c03064