碳化硅（SiC）是一种宽带隙第三代半导体，通过缺陷中心作为量子态的主体，非常适用于恶劣环境的电力电子、微纳米机电系统和新兴量子技术。SiC的化学惰性限制了基于等离子体的反应离子刻蚀方法的可行刻蚀技术，然而，这些特性可能会对电子和光子器件产生严重的不良影响。

近日，美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校Xiuling Li报道了提出了一种无等离子体、开路、光诱导的金属辅助化学刻蚀方法（hν-Macetch）成功制备出先前无法实现的具有非多孔4H碳化硅（4H-SiC）表面和接近垂直的侧壁的3D亚微米特征，其不存在固有的与高能离子相关的表面损伤。。

文章要点

1）该方法利用上述带隙紫外光、图案化贵金属（Pt）以及由氧化剂过硫酸钾（K₂S₂O₈）和氢氟酸组成的溶液来空间上定义蚀刻形态。

2）研究人员通过对参数空间的综合考察，验证了该技术的可控性和通用性，以制备具有多孔或固体侧壁的微米和纳米尺度SiC结构有序阵列，并阐明了刻蚀机理。

参考文献

Julian A. Michaels, et al, Producing Silicon Carbide Micro and Nanostructures  by Plasma-Free Metal-Assisted Chemical Etching, Adv. Funct. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adfm.202103298

https://doi.org/10.1002/adfm.202103298