设计具有原子级催化中心和高原子利用率的单中心催化剂，为靶向反应提供了获得优异催化性能的新机会。有鉴于此，深圳大学的王进等研究人员，利用无溶剂法在缺陷UiO-66(Zr)中原位注入单一W位点用于室温下高效氧化脱硫。
本文要点
1）研究人员报道了一种一锅绿色方法，通过在无溶剂条件下形成Zr-O-W键，在缺陷UiO-66（Zr）结构的节点上原位注入单个钨位（高达12.7 wt.%）。
2）催化剂在室温下30min内表现出优异的氧化脱硫活性（1000ppm S），在30℃时转化频率（TOF）可达44.0h-1°C、 比纯UiO-66（Zr）、WO3和WCl6（均相催化剂）分别高109.0、12.3和1.2倍。
3）理论和实验研究表明，锚定的W位点很容易与氧化剂发生反应，生成决定反应活性的W（VI）-过氧中间体。
本文研究工作不仅展示了SSCs在燃油脱硫领域的应用，而且为制备SSCs基MOFs开辟了一条新的无溶剂途径。
参考文献：
Jin Wang, et al. In situ implanting single tungsten site into defective UiO-66(Zr) by solvent-free route for efficient oxidative desulfurization at room temperature. Angewandte Chemie, 2021.
DOI：10.1002/anie.202107018
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202107018
