多种多样的二维材料van der Waals组装为发展功能性器件提供广泛的机会，对于特定van der Waals异质结，能带对齐对于实现高性能、多功能非常重要，有鉴于此，上海技术物理研究所王建禄、胡伟达，中科院半导体所魏钟鸣等报道通过搭建GeSe/MoS₂结构与聚偏氟乙烯三氟乙烯结合，实现了能够调控铁电性质的器件，通过铁电极化效应形成的超强电场效应在GeSe/MoS₂异质结实现能带对齐，能够实现异质结的能带对齐从II型异质结转变为I型异质结。

本文要点：

（1）

各向异性材料GeSe与MoS₂之间的结合实现了高性能极化光响应能力，暗电流仅仅1.5 pA，响应速度仅仅14 μS，探测能力4.7×10¹² Jones。通过铁电极化效应导致二色性比性能提高，实现了可见光~近红外光的宽区间。

（2）

这种铁电调控GeSe/MoS₂ van der Waals异质结具有复杂光信息传感的多功能探测的应用前景，此外这种铁电调控二维异质结为创建复杂结构器件提供能带调控的方法。

参考文献

Chen, Y., Wang, X., Huang, L. et al. Ferroelectric-tuned van der Waals heterojunction with band alignment evolution. Nat Commun 12, 4030 (2021).

DOI: 10.1038/s41467-021-24296-1

https://www.nature.com/articles/s41467-021-24296-1