黄维院士ACS Nano:层状金属−半导体硫化物异质结的空间合成合成
Nanoyu Nanoyu 2021-07-17


由层状材料组成的异质结构的空间可控合成对于获得独特的性能至关重要。虽然气相沉积方法可以制备垂直和横向异质结构,而液相沉积方法可以实现大规模生产和进一步的溶解过程,但具有有限的可控性。

近日,南京工业大学黄维院士,Xiao Huang,南京邮电大学Zhimin Luo报道了采用湿化学合成法实现了SnS2/Sn0.5Mo0.5S2横向和核壳异质结的空间可控制备。

文章要点

1研究人员先是制备了Sn掺杂MoO3纳米棒,然后将其与SnS2纳米板混合,接着分解得到生长Sn0.5Mo0.5S2纳米片所需的Sn和Mo离子。横向异质结的形成是通过在SnS2上选择性地边缘沉积Sn0.5Mo0.5S2以形成横向异质结,而通过PVP消除边缘和基面之间的能量差来形成核壳异质结。

2两种异质结构中得到的Sn0.5Mo0.5S2纳米片主要由金属性1T相组成,因而具有良好的光热性能。重要的是,与外延横向异质结构中的Sn0.5Mo0.5S2纳米片相比,核壳结构中的Sn0.5Mo0.5S2纳米片显示出随机的层取向和更少的有序晶畴,由于增强了内部光散射,获得了更好的NIR光热转换效率。

这项研究表明,层状异质结构的空间排列可以影响它们的性能,而通过湿法化学合成可以实现这些异质结构的可控和可规模化生产。

 

参考文献

Xiaoshan Wang, et al, Spatially Controlled Preparation of Layered Metallic−Semiconducting Metal Chalcogenide Heterostructures, ACS Nano, 2021

DOI: 10.1021/acsnano.1c03688

https://doi.org/10.1021/acsnano.1c03688


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