Angew:B、N邻位修饰多环芳烃深红色有机荧光材料
纳米技术 纳米 2021-07-29

深红色高性能有机发光二极管非常罕见,这是因为能级定律(energy gap law)导致。有鉴于此,清华大学段炼、Dongdong Zhang等报道一种B、N原子修饰多环杂芳烃,其中含有π-成键/非键杂环轨道,因此突破了荧光边界,实现了记录最高的28 %外量子效率。

本文要点:

(1)

这种B、N修饰在芳环上的相邻位置,在骨架结构中的非键轨道上实现了多重共振,进一步的建立浅能级消除高频振动淬灭,在662 nm和692 nm产生非常窄(半峰宽仅38 nm)的深红色发光,荧光淬灭速率达到108 s-1荧光量子产率≈100 %在标准平面有机发光二极管实现了记录最高的28 %外量子效率

(2)

这种荧光分子中通过引入B-芳基-B、N-芳基-N结构,有效增强了电子耦合效应,因此在芳基环状结构上形成了严格的π键离域激发态,因此导致能带降低。

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参考文献

Yuewei Zhang, Dr. Dongdong Zhang, Tianyu Huang, Dr. Alexander J. Gillett, Dr. Yang Liu, Dr. Deping Hu, Linsong Cui, Zhengyang Bin, Guomeng Li, Dr. Jinbei Wei, Prof. Lian Duan, Multi-Resonance Deep-Red Emitters with Shallow Potential-Energy Surfaces to Surpass Energy-Gap Law, Angew. Chem. Int. Ed. 2021

DOI: 10.1002/anie.202107848

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/anie.202107848


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