InP的带隙接近Shockley−Quiesser极限，导带与水的还原电位对准良好，是用于光电化学水还原的理想光电阴极材料。

近日，澳大利亚国立大学Siva Karuturi，Parvathala Reddy Narangari报道了一种新型的基于Au的自组装纳米点掩模，用于InP 纳米线（NWs）的可扩展制造。

文章要点

1）Au基随机纳米点掩模是通过去湿现象形成，在这种现象下，当高温退火时，薄的Au膜转变为纳米点。值得注意的是，当InP在高于500 °C的温度下会发生分解，因此，在相对较低的温度下生成自组装纳米点对于制备InP纳米晶至关重要。此外，通过优化除湿参数，即Au膜厚度、退火温度和退火时间，对于影响Au纳米点的形状、尺寸分布和密度，进而控制InP纳米线的密度和直径至关重要。此外，所提出的自上而下制造方法不依赖于复杂而昂贵的设备，例如纳米压印光刻和电子束光刻。

2）研究人员展示了一种利用溶硫油胺（S-OA）溶液一步实现表面定制InP NWs的方法，该方法可以同时去除表面损伤并提供表面钝化和保护。得到的InP NW光电阴极不需要额外的保护层，在1 M HCl中的1个日照下表现出33 mA/cm²的优异光电流密度，且性能高度稳定，不需要额外的保护层。

这种高性能、高稳定性的InP-NWs光电阴极的制备为设计用于太阳能水分解的大规模纳米线光电电极提供了一种新的策略。

参考文献

Parvathala Reddy Narangari, et al, Surface-Tailored InP Nanowires via Self-Assembled Au Nanodots for Efficient and Stable Photoelectrochemical Hydrogen Evolution, Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c02205

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c02205