用于制备基于石墨烯的异质结构的石墨晶体通常被认为是无缺陷的。近日，加州大学圣克鲁兹分校Jairo Velasco Jr.，Frédéric Joucken，巴黎萨克雷大学Cristina Bena等通过扫描隧道显微镜研究发现，用于制备石墨烯器件的常用的石墨可能包含大量的天然缺陷。
本文要点：
1）作者通过宽范围的表面扫描确定了它的天然缺陷的浓度为 6.6 × 108 cm-2。
2）作者进一步研究了这些天然缺陷对伯纳尔堆叠双层石墨烯电子特性的影响。作者观察到门依赖的谷内散射，并成功地将实验结果与基于 T 矩阵的计算进行了比较，揭示了载流子密度明显依赖于散射矢量分布。作者还提出了一种评估短尺度散射空间分布的技术。
3）最后，作者提出了基于玻尔兹曼传输方程的理论分析，该分析可预测在研究中发现的稀释的天然缺陷是重要的外在散射源。
Frédéric Joucken, et al. Direct Visualization of Native Defects in Graphite and Their Effect on the Electronic Properties of Bernal-Stacked Bilayer Graphene. Nano Lett., 2021
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01442
