斯塔克效应是操控纳米结构系统多体状态的最有效机制之一。在单层和少层过渡金属二硫属化物中，其可通过光场和电场手段成功诱导。近日，坎皮纳斯州立大学Odilon D. D. Couto, Jr.等报道了通过表面声波携带的 220 MHz 面内压电场来调控 MoSe₂ 单层中的光发射能量和离解激子态。

本文要点：

1）作者将MoSe₂单层转移到高介电常数压电基底上，在那里中性激子结合能降低，使得能够有效地猝灭（超过 90%）并使激子光发射红移。

2）声诱导斯塔克效应产生的中性激子和三重子面内极化率分别为530×10^–5 meV/(kV/cm)²和630×10^–5 meV/(kV/cm)²，这远大于封装在六方氮化硼中的MoSe₂单层所报道的极化率。大的面内极化率是操纵和调制二维半导体纳米结构中用于光电应用的多激子相互作用的重要因素。

该工作证明了声学调制在控制单层和少层过渡金属二硫属化物系统中多激子动力学方面的潜力，对未来应用至关重要。

Diego Scolfaro, et al. Acoustically Driven Stark Effect in Transition Metal Dichalcogenide Monolayers. ACS Nano, 2021

DOI: 10.1021/acsnano.1c06854

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.1c06854