宽带隙钙钛矿因其在串联太阳能电池 (TSC) 中作为顶部吸收体的重要作用而引起了广泛关注。然而，宽带隙钙钛矿太阳能电池 (PVSC) 通常会遭受严重的非辐射复合损失，因此表现出高开路电压 (V_OC) 缺陷。为了解决这些问题，香港城市大学Alex K.-Y. Jen, 南开大学 Yi Zhang 以及南方科技大学Baomin Xu 等人在空穴传输层上采用二维辛基二铵碘化铅界面层，以诱导形成靠近空穴传输层界面的超薄准二维钙钛矿。

本文要点：

1）这种方法不仅加速了空穴转移并延缓了空穴积累，而且还降低了顶部钙钛矿层中的陷阱密度，从而有效地抑制了非辐射复合路径。因此，基于宽带隙的冠军器件 (≈1.66 eV) 的功率转换效率 (PCE) 为21.05%，V_OC 为1.23 V，其中 0.43 V 的V_OC损失是倒置宽带隙PVSC的最低值之一。

2）此外，通过在1.1 eV Cu₂ZnSn(S,Se)₄ (CZTSSe) 底部电池上堆叠半透明钙钛矿顶部电池，在钙钛矿/CZTSSe四端串联太阳能电池上实现了22.27%的PCE。

这为全溶液处理、低成本和高效的TSC铺平了道路，并减少了宽带隙顶部电池中的能量损失。

Wang, D., Guo, H., Wu, X., Deng, X., Li, F., Li, Z., Lin, F., Zhu, Z., Zhang, Y., Xu, B., Jen, A. K.-Y., Interfacial Engineering of Wide-Bandgap Perovskites for Efficient Perovskite/CZTSSe Tandem Solar Cells. Adv. Funct. Mater. 2021, 2107359. https://doi.org/10.1002/adfm.202107359

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202107359