二维卤化铅钙钛矿具有带隙可调性和更高的化学稳定性，已被发现可用于设计光电器件。圣母大学Prashant V. Kamat等人研究发现，从混合卤化物（Br：I = 50：50）钙钛矿薄膜中的卤化物离子分离和暗恢复可以看出，随着层数（n = 10-1）的减少而降低维度也提升了对光诱导离子迁移的抵抗力。
本文要点：
1）通过不同的吸收光谱的测定，随着二维钙钛矿薄膜的维数从n=10降低到1，光致卤化物离子分离效率从20%降低到<1%。 分离速率常数（ksegregation）降低从5.9×10−3 s−1 (n = 10) 到 3.6×10−4 s−1 (n = 1)。
2）与在电荷载流子寿命中观察到的近一个数量级的下降密切相关（τaverage = 233 ps for n= 10 vs τavg = 27 ps（n=1）。二维钙钛矿中紧密结合的激子使电荷分离的可能性降低，从而降低了卤化物迁移率并导致相分离。
3）最后讨论了控制二维结构维数在抑制卤化物离子迁移率方面的重要性。
Cho, J., Mathew, P. S., DuBose, J. T., Kamat, P. V., Photoinduced Halide Segregation in Ruddlesden–Popper 2D Mixed Halide Perovskite Films. Adv. Mater. 2021, 2105585.
https://doi.org/10.1002/adma.202105585
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202105585
