在过去的几年中，应变对MoS₂层的光学和电子特性的影响引起了特别的关注，因为它可以改善光电和自旋电子器件的性能。虽然已经探索了几种方法，但应变通常施加在二维材料外部。有鉴于此，西班牙瓦伦西亚大学的Coronado, Eugenio等研究人员，报道了热或光诱导自旋开关驱动应变可调异质结构中固定在MoS₂层上的自旋交叉纳米粒子。

本文要点

1）研究人员描述了一种可逆的“自应变”系统的制备，其中应变由MoS₂基复合材料的一种组分在分子水平上产生。

2）将自旋交叉纳米颗粒共价接枝到半导体MoS₂的功能化层上，形成杂化异质结构。

3）它们在施加外部刺激（光照或温度变化）时在两种自旋状态之间切换的能力可在MoS₂层上产生应变。

4）该自旋交叉伴随着体积变化，产生的应变导致异质结构的电学和光学性质发生实质性的可逆变化。

参考文献：

Ramón Torres-Cavanillas, et al. Spin-crossover nanoparticles anchored on MoS₂ layers for heterostructures with tunable strain driven by thermal or light-induced spin switching. Nature Chemistry, 2021.

DOI：10.1038/s41557-021-00795-y

https://www.nature.com/articles/s41557-021-00795-y