具有高化学稳定性的无机 CsPbI3 钙钛矿对于具有高色纯度的高效深红色钙钛矿发光二极管 (PeLED) 具有吸引力。与基于非原位合成的CsPbI3 纳米晶体/量子点的PeLED相比，在高电流密度下具有低电导率和效率下降。同时，从前驱体溶液原位沉积的 3D CsPbI3薄膜可以保持高电导率，但显示出高陷阱密度。上海交通大学赵一新等人报道了一种新的策略。
本文要点：
1）研究人员证明了引入碘化二铵可以增加前驱体溶液中胶体的尺寸，延缓相变速率，并钝化原位形成的长方体微晶的陷阱态。
2）基于一步成型的 3D CsPbI3长方体微晶薄膜的PeLED显示出高达15.03%的峰值外量子效率 (EQE) 值，因为它具有高电导率和减少的陷阱态。
3）此外，这种一步法还具有较宽的加工窗口，这对大面积PeLED模块的流水线生产具有吸引力。成功制造了 9 cm2 的PeLED ，具有10.30%的峰值 EQE。
Miao, Y., Liu, X., Chen, Y., Zhang, T., Wang, T., Zhao, Y., Deep-Red Perovskite Light-Emitting Diodes Based on One-Step-Formed γ-CsPbI3 Cuboid Crystallites. Adv. Mater. 2021, 2105699. https://doi.org/10.1002/adma.202105699
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202105699
