ACS Catal:室温非过渡金属催化芳烃C-H键硅烷化
纳米技术 纳米 2021-10-14

目前含有C(sp2)-Si化学键结构的芳基有机硅烷在化学合成领域的应用得到更多发展,但是目前相关方法学中通常以原子不经济的化学计量比方式进行反应。同时人们报道发展了氢硅烷作为硅试剂的方法学,但是这种氢硅烷试剂的方法学在热力学上并不具备优势,而且通常需要使用价格昂贵的催化剂体系,比如需要贵金属催化剂,而且反应方法不具备普适性。

有鉴于此,法国索邦大学Clément Chauvier等报道发展了一种新型硅试剂,叔丁基修饰氮烯硅烷(tBu-N=N-SiR3),实现了在温和反应条件和非过渡金属催化条件中进行对惰性杂芳基/芳基化合物进行C(sp2)-H硅烷化

 本文要点:

(1)

反应情况。以叔丁基硅烷氮烯、芳烃/杂芳烃作为反应物,tBuOK作为催化剂,在THF溶剂中室温条件进行反应,能够进行C(sp2)-H转化为C(sp2)-Si结构。

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参考文献

Baptiste Neil, Franck Lucien, Louis Fensterbank, and Clément Chauvier*, Transition-Metal-Free Silylation of Unactivated C(sp2)–H Bonds with tert-Butyl-Substituted Silyldiazenes, ACS Catal. 2021, 11, 13085–13090

DOI: 10.1021/acscatal.1c03824

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acscatal.1c03824


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