对具有强电子学、磁相关性的二维vdW材料的磁自旋态是自旋电子学领域中非常重要但是具有非常大挑战。过渡金属磷硫化物（MPS₃）中通常具有晶体缺陷，能够显著影响其物理化学性质。

有鉴于此，国家纳米科学中心何军、威斯康星大学麦迪逊分校金松等报道研究少层vdW材料Ni_1-xCo_xPS₃纳米片材料中的硫缺陷位点对磁交换相互作用和自旋结构的影响。

本文要点：

（1）

磁性和结构表征与理论计算结果相结合，发现硫缺陷位点能够显著抑制层内的反铁磁耦合相互作用，导致Ni_1-xCo_xPS₃纳米片中形成较弱的铁磁基态。特别是，调控铁磁性态所需的磁场仅仅<300 Oe，比典型vdW反铁磁体（通常需要>数千Oe）的数值更低。

（2）

本文研究结果为通过构建缺陷位点结构实现调控vdW材料的相关态和磁序提供一种非常有效的方法。

参考文献

Fengmei Wang, Nitish Mathur, Aurora N. Janes, Hongyuan Sheng, Peng He, Xueli Zheng, Peng Yu, Andrew J. DeRuiter, J. R. Schmidt, Jun He*, Song Jin*, Defect-mediated ferromagnetism in correlated two-dimensional transition metal phosphorus trisulfides, Science Advances, 2021, 7(43), eabj4086

DOI: 10.1126/sciadv.abj4086

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abj4086